Российские ученые создали материал для нанокомпьютеров будущего

Исследователи Дальневосточного федерального университета и Института автоматики и процессов управления ДВО РАН синтезировали гибридную структуру для сверхчувствительных фотодетекторов и устройств памяти нового поколения.

Специалисты института представили разработку для высокопроизводительной наноэлектроники, передает РИА «Новости».

Новый материал обладает уникальными характеристиками и подходит для изучения сильно коррелированных систем.

Главным достижением авторы называют способность гибко менять электронную структуру полученной системы. Подобная настройка свойств критически важна для внедрения технологии в практическое производство.

«Полученная система материалов необходима для создания устройств записи информации нового поколения. Если слой С60 будет способен передавать спиновый момент от поверхности топологического изолятора в ферромагнитный слой, то будет создана очень гибкая система, пригодная для создания ячеек памяти», – рассказал доцент Александр Давыденко.

Ранее ученые в России придумали способ использовать ультразвук при варке джемов, позволяющий существенно повысить эффективность производства.