В Росэлектронике разработаны первые российские Si-фотомодули на 4 мегапикселя

Новые фотоприемники создаются на базе наиболее распространенной в настоящее время технологии построения интегральных микросхем (КМОП с технологической нормой 180 нм). Их отличительной особенностью является крайне малое энергопотребление и высокая скорость работы. Заложенные в фотомодули характеристики сопоставимы с ведущими мировыми аналогами.

Устройства работают в спектральном диапазоне 400-900 нм с разрешением 2048×2048. Размер одного пикселя составляет 5,3×5,3 мкм. Сенсоры обладают повышенными климатическими и механическими показателями, что позволит применять их в экстремально жарких и экстремально холодных условиях, в том числе в Арктике.

Сообщение В Росэлектронике разработаны первые российские Si-фотомодули на 4 мегапикселя появились сначала на Время электроники.