Прорыв в полупроводниках приближает 6G

Переход от 5G к шестому поколению протокола мобильной связи потребует радикального обновления полупроводниковой технологии, схем, систем и связанных с ними алгоритмов. В частности, основные полупроводниковые компоненты, изготовленные из нитрида галлия, должны быть намного быстрее, мощнее и надежнее.

Международная команда исследователей протестировала новую архитектуру усилителей из нитрида галлия. Открытое ими свойство — «эффект фиксатора» — позволило разблокировать путь к значительному повышению производительности радиочастотного устройства. Эти устройства смогут использовать параллельные каналы, которые затем требуют использования особых транзисторов, управляющих движущимся через устройство потоком тока, https://www.sciencedaily.com/releases/2025/05/250522183216.h... Science Daily.

«Вместе с коллегами мы опробовали технологию «полевых транзисторов с эффектом сверхрешетки» (SLCFET), в которых током помогают управлять свыше 1000 ребер шириной менее 100 нм. Хотя SLCFET продемонстрировал наивысшую производительность в диапазоне частот W-диапазона, что соответствует 75-110 ГГц, физика, лежащая в основе этого процесса, прежде была неизвестна. Мы поняли, что наблюдали эффект фиксатора в нитриде галлия, который и обеспечивает высокую производительность на радиочастотах».

Затем исследователи установили, где именно возникает этот эффект, а также разработали 3D-модель для дальнейшей проверки наблюдений. Следующей задачей стало изучение надежности эффекта фиксатора для практических применений. Тщательное тестирование устройства в течение длительного периода времени показало, что оно не оказывает негативного воздействия на надежность или производительность устройства.

«Мы обнаружили, что ключевой аспект, определяющий эту надежность, — тонкий слой диэлектрического покрытия вокруг каждого из ребер, — сказал Мартин Кубалл из Университета Бристоля, один из руководителей проекта. — Но главный вывод был очевиден — эффект фиксатора можно использовать для бесчисленных практических применений, которые могут в будущем значительно преобразовать жизнь людей».

Долгое время ученые не могли понять, как ферроэлектрические полупроводники могут поддерживать две противоположные электрические поляризации, не распадаясь. Ответ https://hightech.plus/2025/05/06/raskrit-sekret-strannih-pol... ученые из США. Исследование показало, что при столкновении противоположных электрических поляризаций внутри материала кристаллическая структура создает свободные атомные связи.