SanDisk представляет флэш-память с высокой пропускной способностью (HBF)

На мероприятии Investor Day компания SanDisk анонсировала новую память, предназначенную для прямого размещения в GPU и ускорителях ИИ. В отличие от HBM, где используются стекированные DRAM-чипы, High Bandwidth Flash (HBF) основана на NAND-флэш-памяти, оптимизированной для параллельного доступа.

Одним из ключевых достоинств HBF является ее емкость. Один чип с 16 стеками может достигать 512 ГБ, тогда как HBM3E в текущем поколении ограничен 24 ГБ (в будущем ожидаются версии на 48 ГБ). Это означает, что HBF способна предложить в 8-16 раз больше памяти при сопоставимой стоимости.

При этом HBF использует тот же 1024-битный интерфейс, что и HBM, что теоретически не должно создавать ограничений по подключению. Однако SanDisk пока не раскрыла деталей о поддержке протоколов передачи данных и фактической пропускной способности.

Разница становится очевидной при сравнении с памятью для будущих ускорителей: Blackwell и Instinct ...