«Элемент» инвестирует 4,4 млрд рублей в производство GaN-транзисторов
Группа компаний «Элемент» направит 4,4 млрд рублей на создание полного цикла производства силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN). Проект будет реализован на базе воронежского НИИ электронной техники (НИИЭТ). Группа компаний «Элемент», крупнейший разработчик и производитель микроэлектроники в России, инвестирует 4,4 млрд рублей в создание производства силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN). Проект будет реализован на […]
«Элемент» инвестирует 4,4 млрд рублей в производство GaN-транзисторов