В Сибири изобрели самую быструю флешку в мире
Флеш-память с использованием мультиграфена, превосходящая существующие аналоги по скорости и времени хранения информации, была создана учеными из Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, сообщает ВашГород.ru со ссылкой на «Науку в Сибири».
Работает флеш-память благодаря впрыскиванию и хранению электрического заряда в мультиграфене - запоминающей среде. Кроме того, ее необходимыми компонентами являются туннельный и блокирующий слои.
Туннельный слой изготовлен из оксида кремния, блокирующий - из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.
«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», — поясняют ученые-физики.
Флеш-память на основе мультиграфена проходит различные исследования, поэтому говорить о ее масштабном производстве пока рано.
Фото: pixabay