Samsung представила память GDDR7 в модулях 3 ГБ

Samsung анонсировала новую память GDDR7 ёмкостью 24 ГБит (3 ГБ). Данный чип отличается рекордной скоростью передачи данных до 40 ГБит/с.

Особенности

Корейский производитель отмечает, что 24-Гбит GDDR7 построена на 10-нм техпроцессе пятого поколения, что позволяет увеличить плотность ячеек на 50% при сохранении тех же размеров корпуса. Благодаря этому ёмкость каждого модуля памяти составляет 3 ГБ, тогда как предыдущие версии предлагали 1 ГБ или 2 ГБ.

Также стоит отметить скорость передачи данных в 40 ГБит/с. Samsung также заявляет, что производительность может быть увеличена до 42,5 ГБит/с в определённых случаях. Помимо этого, новая память GDDR7 на 30% энергоэффективнее по сравнению с предыдущими поколениями.

Примечательно, что на данный момент видеокарты серии NVIDIA RTX 40xx обладают самой быстрой памятью с пропускной способностью до 22,4 ГБит/с. По слухам, в грядущей серии RTX 50xx этот показатель может возрасти до 32 ГБит/с.

Сроки выхода

Samsung сообщила, что тестирование и отбор образцов новой оперативной памяти начнутся в конце текущего года, а её коммерческое использование планируется на начало следующего года.