ru24.pro
Новости по-русски
Август
2024

Ученые предложили новый материал для оптически управляемой магнитной памяти

0

Новый материал, который можно использовать для создания оптически управляемой магнитной памяти, обнаружили исследователи из Школы молекулярной инженерии им. Притцкера Чикагского университета (PME), 9 августа сообщает пресс-служба PME. Ученые, исследуя свойства сложного вещества, состоящего из марганца, висмута и теллура (MnBi₂Te₄), установили, что магнитные свойства этого материала можно быстро и легко изменять, воздействуя на него светом. Из чего вытекало, что лазером можно будет записывать информацию, сохраняя ее в магнитных состояниях MnBi₂Te₄. Старший автор исследования, доцент кафедры молекулярной инженерии PME Шуолонг Ян отметил: «Это подчеркивает, что фундаментальная наука действительно может помочь по-новому взглянуть на инженерные приложения. Мы начали со стремления понять молекулярные особенности этого материала и в итоге поняли, что у него есть ранее не открытые свойства, которые делают его очень полезным». В своей статье, в которой Ян и его коллеги представили результаты своего исследования, они описали, как электроны в MnBi₂Te₄ конкурируют между двумя противоположными состояниями — топологическим, которое можно использовать для кодирования квантовой информации, и светочувствительным состоянием, которое можно использовать для ее хранения. Ранее MnBi₂Te₄ изучался на предмет перспективности его использования в качестве магнитного топологического изолятора (MTI). Топологический изолятор — это материал, который в объеме является изолятором, но проводит электричество на своих внешних поверхностях. Для идеального MTI в состоянии 2D возникает квантовое явление, при котором электрический ток течет в двумерном потоке вдоль его краев. Эти так называемые «электронные магистрали» обладают потенциалом кодировать и переносить квантовые данные. Несмотря на то, что ученые предсказывали возможность MnBi2Te4 стать носителем такой электронной магистрали, экспериментально работать с этим материалом оказалось сложно. «Наша первоначальная цель состояла в том, — рассказал Ян, — чтобы понять, почему так сложно получить эти топологические свойства в MnBi₂Te₄. Почему предсказанная физика отсутствует?» Для ответа на этот вопрос исследователи использовали передовые методы спектроскопии, которые позволили им визуализировать поведение электронов внутри MnBi₂Te₄ в реальном времени на сверхбыстрых временных масштабах. Они использовали фотоэмиссионную спектроскопию с временным и угловым разрешением, разработанную в лаборатории Яна. Кроме того, они в сотрудничестве с группой Сяо-Сяо Чжана из Университета Флориды, провели измерения магнитооптического эффекта Керра с временным разрешением (MOKE), которые позволили им наблюдать магнетизм. «Эта комбинация методов дала нам прямую информацию не только о том, как движутся электроны, но и о том, как их свойства связаны со светом», — пояснил Ян. Анализ результатов спектроскопии показал, почему MnBi₂Te₄ «не хотел» работать как хороший топологический материал: существовавшее в нем квазидвухмерное электронное состояние конкурировало с топологическим состоянием за электроны. «Существует совершенно другой тип поверхностных электронов, которые заменяют исходные топологические поверхностные электроны, — пояснил Ян. — Но оказалось, что это квазидвумерное состояние на самом деле имеет другое, очень полезное свойство». Это второе электронное состояние определяло связь между магнетизмом материала и внешними фотонами света, что нельзя использовать для передачи чувствительных квантовых данных, но как раз соответствует требованиям эффективной оптической памяти. Группа Яна намерена продолжить изучения этого потенциального применения MnBi₂Te₄ и планирует эксперименты, в которых они используют лазер для манипулирования свойствами материала. Они считают, что оптическая память, использующая MnBi₂Te₄, может оказаться на порядки эффективнее, чем современные электронные запоминающие устройства. Ян также отметил, что, лучше разобравшись с балансом между двумя электронными состояниями на поверхности MnBi₂Te₄, вероятно, можно будет повысить его способность действовать и как МТИ, и хранить квантовые данные. «Возможно, мы могли бы научиться настраивать баланс между исходным, теоретически предсказанным состоянием и этим новым квазидвумерным электронным состоянием, — сказал ученый. — Это может стать возможным, если мы сумеем контролировать условия синтеза». Результаты своего исследования группа Яна представила в статье «Различение поверхностного и объемного электромагнетизма через их динамику в собственном магнитном топологическом изоляторе», опубликованной в журнале Science Advances glavno.smi.today