ASML создала первый образец полупроводника с применением литографии High-NA EUV

Первую систему High-NA EUV установили в штаб-квартире ASML в Вельдховене, Нидерланды. Она уже продемонстрировала свои возможности, успешно создав первые в мире чипы с таким высоким разрешением. Вторая система в настоящее время находится на стадии установки у американского заказчика на заводе Intel D1X в Хиллсборо, штат Орегон.

ASML планирует использовать свою технологию не только для исследований, но и для массового производства. Система Twinscan EXE:5000 будет применяться для разработки и совершенствования процессов изготовления чипов, в том числе для новейшего техпроцесса Intel 18A, предназначенного для производства чипов класса 1,8 нм. Это значительное улучшение по сравнению с предыдущими системами EUV, которые обеспечивали разрешение 13 нм.

Система Twinscan EXE:5200, которая также оснащена оптикой с числовой апертурой 0,55, предназначена для нанесения элементов чипов с еще более высоким разрешением – 8 нм. Это позволяет уменьшить размеры транзисторов почти в 2 раза и увеличить их плотность в 2,9 раза за одну экспозицию, что сокращает количество необходимых операций и снижает производственные затраты.

Переход на технологию High-NA EUV считается необходимым шагом для выпуска чипов с нормами ниже 3 нм. ASML https://www.tomshardware.com/tech-industry/asml-ships-its-se... начать массовое производство таких чипов в 2025-2026 годах.