Память ReRAM выпустили с использованием 22-нм техпроцесса — такого маленького мемристора ещё не было

Израильская компания Weebit Nano сообщила о выпуске демонстрационного чипа со встроенным блоком памяти ReRAM. Чип изготовлен с использованием 22-нм техпроцесса, что стало рекордом по снижению техпроцесса производства флеш-памяти для встраиваемых приложений — контроллеров и тому подобных чипов. Решение выпущено на пластинах FD-SOI французским институтом CEA-Leti и готово для квалификационных тестов, но клиентов на технологию как не было, так и нет. Условное представление ячейки памяти ReRAM компании Weebit Nano. Источник изображения: Weebit Nano