В Британии переходят на новый этап разработок GaN-радара нового поколения для истребителей

Британская компания оборонной отрасли BAE Systems сообщает о переходе к новому этапу разработки перспективных радаров для истребителей. Речь идёт о радарах нового поколения, которые, как планируется, будут совмещать в себе технологии радиоэлектронной борьбы (РЭБ) и связи. Представители научно-исследовательской лаборатории упомянутой компании сообщают о том, что тщательно изучается и поэтапной внедряется полупроводниковая технология на основе нитрида галлия (GaN) с миллиметровым диапазоном для использования в РЛС нового поколения. BAE Systems продвигает технологию полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) миллиметрового диапазона для реализации радиолокаторов следующего поколения - радиоэлектронной борьбы и связи. Эти GaN-радары планируется использовать в перспективных средствах авиации, включая истребители, которые теоретически относят уже к 6-му поколению средств ВВС. Используемое сочетание GaN позволяет обеспечить относительно широкий спектр частот при высокой эффективности передачи информации. Один из основных плюсов, о котором говорят британские исследователи, состоит в малых размерах приёмно-передающих устройств в сравнении с теми, которые эксплуатируются сегодня. При этом мощность выдаваемого сигнала остаётся высокой. Нитрид галлия, как утверждается, позволяет снизить затраты на создание высокопроизводительной РЛС. Директор по линейке продукции для РЛС Крис Раппа: Программа по использованию GaN создает основу для разработки передовых технологий, которая может привести к появлению новых критически важных технологий для следующего поколения боевых истребителей. Отмечается, что такая работа ведётся как в интересах Британии, так и в интересах США «с учётом американского технологического опыта». Ранее о создании нового радара на основе нитрида галлия заявляли в американской Raytheon. При этом радар создаётся для перспективных систем ПВО-ПРО, которые призваны заменить ЗРК Patriot.