До конца 2020 года в Южной Корее начнётся массовое производство памяти ReRAM

Как подсказывает сайт Storagenewsletter.com, израильский разработчик памяти ReRAM компания WeeBit Nano уверенно идёт к успеху. В результате выпуска дополнительных акций (WeeBit Nano зарегистрирована на бирже в Австралии) и благодаря другим инвестициям удалось собрать ещё $3,1 млн денежных средств на исследования, разработки и закупку оборудования. Как мы рассказывали, компания WeeBit Nano разработала технологию производства и ячейку резистивной памяти на основе такого недорогого материала, как оксид кремния (SiOx). Разрабатывать техпроцесс массового производства массивов ReRAM компании WeeBit Nano помогает французский исследовательский институт Leti. В 2017 году совместными усилиями на мощностях Leti на 200-мм пластинах с помощью 300-нм техпроцесса был выпущен опытный массив ReRAM объёмом в несколько Кбайт. Через год технология была улучшена, и партнёры выпустили мегабайтный массив ReRAM в рамках 40-нм техпроцесса. До конца текущего года может выйти новый кремний с массивом ReRAM уже с использованием 28-нм техпроцесса и на 300-мм пластинах. Это уже нечто практичное, что можно внедрять в современное производство.