Samsung представила SSD-диски на базе 3D модулей памяти V-NAND шестого поколения

Южнокорейская бражка Samsung Electronics обнародовала о начале массового производства твердотельных накопителей SATA емкостью 250 ГБ на базе 256-гигабитных V-NAND модулей... Южнокорейская бражка Samsung Electronics обнародовала о начале массового производства твердотельных накопителей SATA емкостью 250 ГБ на базе 256-гигабитных V-NAND модулей шестого поколения, заключающихся из более чем 100 пластов трехбитных ячеек, какие будут поставляться глобальным производителям ПК. Будто помечает производитель, на создание новоиспеченного поколения V-NAND ему потребовалось итого 13 месяцев, сжав, таковским образом, производственный цикл на четыре месяца, выпустив при этом самые производительные, энергоэффективные и более простые в производстве модули. Samsung заявляет, что её 3D модули памяти V-NAND шестого поколения выдаются самой возвышенной в ветви скоростью передачи настоящих. Благодаря уникальной фирменной технологии «травления каналов», новоиспеченные V-NAND кристаллы получили образцово на 40% вяще ячеек, чем одноблочные 9x-модули памяти прошлого поколения. Это достигается путем формирования электропроводящей 136-слойной структуры, с последующим отвесным прокалыванием цилиндрических отверстий сверху долу, в итоге чего образуются однородные трехмерные ячейки с технологией западни снаряда(charge trap flash, CTF). По мере увеличения вышины матрицы в всякой ячейке флеш-чипы NAND становятся более подвержены оплошкам и заминкам чтения. Для преодоления этого ограничения Samsung внедрила оптимизированную по скорости конструкцию схемы, какая позволяет достигать максимальной скорости передачи настоящих: менее 450 микросекунд(мкс)для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения. По сравнению с прошлым поколением новоиспеченная конструкция обеспечивает повышение производительности более чем на 10% и снижение энергопотребления более чем на 15%. Благодаря оптимизированному дизайну решения V-NAND вытекающего поколения смогут получить более 300 пластов, сочетая три ячейки шестого поколения без ущерба для производительности или надежности чипа. Кроме того, для создания чипа плотностью 256 Гб новоиспеченного поколения необходимо итого 670 млн сквозных каналов, по сравнению с 930 млн в решениях прошлого поколения. Это позволило понизить размер чипов и сжать число этапов производства, повысив эффективность изготовления на 20%. В планы Samsung, после выпуска 250-гигабайтных SSD, входит вывод на базар 512-гигабитных трехбитных V-NAND SSD и eUFS во втором полугодии. Бражка также намерена расширить производство мощных высокоскоростных V-NAND-решений шестого поколения на заводе в Пхёнтэке, Корея, начиная со вытекающего года. <- Утечка информации позволила оценить соотношение размеров у фаблетов Samsung