Samsung разработала первый чип памяти для смартфонов на 1 ТБ
Samsung начала выпуск памяти eUFS 2.1 объёмом 1 ТБ. Такая память будет устанавливаться на смартфоны, а первым аппаратом, который получит рекордный объём памяти станет Samsung Galaxy S10+.
По заявлению производителя, их новая рекордная память получила 16 слоёв памяти V-NAND и новый контролер.
К тому же новая память обеспечит скорость передачи данных до 1000 МБ/с при чтении и 260 МБ/с при записи.
Как сообщает «АСТЕРА», такие показатели в пять раз превышают показатели обычного SSD накопителя с интерфейсом SATA.
Новая память должна дебютировать в новом смартфоне Samsung Galaxy S10+, который будет представлен на отдельном мероприятии 20 февраля.