GlobalFoundries готовится выпускать SiGe-чипы на 300-мм подложках

Компания GlobalFoundries сообщила, что скоро на её мощностях для контрактных клиентов станет доступным новый полупроводниковый техпроцесс с использованием кремния и германия (SiGe). Более того, техпроцесс 9HP, который идёт на смену ранее внедрённым техпроцессам SiGe 8XP и 8HP, будет внедрён на заводе в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк), тогда как ранее SiGe-техпроцессы внедрялись на заводе компании в Берлингтоне, штат Вермонт. Это означает, что компания начнёт выпускать SiGe-чипы на 300-мм подложках вместо 200-мм. Тем самым существенно возрастёт выход передовых чипов, место которым в высокочастотной радиотехнике и в скоростной сетевой инфраструктуре. Если говорить о нормах техпроцесса, то за кодовыми именами SiGe 8XP и 8HP скрываются 130-нм технологические нормы, а за именем SiGe 9HP — 90-нм. Это далеко не самые передовые техпроцессы, но GlobalFoundries поставила перед собой цель развиваться не вглубь, а вширь. Она заморозила развитие техпроцессов на уровне 12-нм технологических норм и начала совершенствовать уже разработанные. Впрочем, для технологий с использованием соединений кремния и германия даже 90-нм техпроцесс будет новинкой и свидетельством прогресса.