Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроники

МОСКВА, 15 марта Ученые Национального исследовательского ядерного вуза МИФИ в сотрудничестве со специалистами Института физики металлов СО РАН разработали и изучили наногетероструктуры на основе арсенида галлия, способные повысить быстродействие высокочастотных микросхем. Гетероструктура представляет собой выращенный на подложке слоистый материал из различных германиев, обычно используемых в электронике. Современный квантовый ...