Samsung планирует производить полузаказную память HBM, используя самый современный техпроцесс 2 нм для логической микросхемы
Компания Samsung работает над тем, чтобы производить определённую часть памяти HBM по самому современному техпроцессу 2 нм, что позволит создавать более конкурентоспособный продукт на фоне решений Hynix и Micron.
Для начала нужно сказать, что речь идёт о производстве логических микросхем, используемых для создания стеков HBM. Они лежат в основе стека и используются для управления. Начиная с HBM4, которая появится в ускорителях для ИИ уже в этом году, логические микросхемы изготавливаются с использованием литейного процесса, а не традиционного процесса производства DRAM.
Что касается техпроцесса, для примера, логическая микросхема HBM4 у Samsung, предположительно, основана на 4-нанометровом техпроцессе, вероятно, выбранном из семейства SF4. Для сравнения, Hynix использует нормы 12 нм на мощностях TSMC.
Samsung хочет внедрить ещё более современный техпроцесс в том числе для создания полузаказных решений, если их можно таковыми назвать. В данном случае под этим подразумевается подход, при котором специфические для заказчика функции адаптируются и интегрируются непосредственно в логический кристалл. Это позволит Samsung предложить клиентам то, что не предлагают конкуренты.