Десять бывших сотрудников Samsung арестованы за утечку в Китай технологий производства памяти 10-нанометрового класса
Прокуратура Центрального округа Сеула предъявила обвинения десяти лицам, причастным к масштабной краже технологии производства DRAM-памяти 10-нанометрового класса у Samsung Electronics. Пятеро из них, включая бывших сотрудников компании, взяты под стражу. Ущерб, нанесенный компании, оценивается в 5 триллионов вон (примерно 3,5 млрд долларов), а национальной экономике Южной Кореи — в десятки триллионов вон.
Расследование показало, что китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), созданная в 2016 году, завербовала бывшего начальника отдела Samsung для руководства своими разработками. В сговоре с другими экс-сотрудниками Samsung он организовал схему хищения технологий. Один из перебежчиков вручную скопировал сотни этапов 18-нанометрового производственного процесса DRAM, который Samsung разрабатывала 5 лет, потратив на это 1,6 трлн вон.
Преступники создали подставную компанию-однодневку, регулярно меняли офисы и даже изобрели собственный кодовый язык для общения, чтобы избежать слежки и арестов. Полученные данные были адаптированы под китайское оборудование, что позволило CXMT начать выпуск передовой памяти уже в 2023 году, сократив тем самым технологическое отставание.
Прокуратура назвала этот случай угрозой национальной безопасности, учитывая, что полупроводниковая отрасль обеспечивает более 20% всего экспорта Южной Кореи. Власти пообещали и впредь жестко пресекать любые попытки незаконной передачи технологий за рубеж, наказывая как внутренних инсайдеров, так и участников схем, действующих на территории Китая.