Новосибирские ученые разработали российские аналоги оборудования для производства полупроводниковых структур

В новосибирском Академгородке разработано устройство для создания ионных имплантеров, которые являются одним из ключевых компонентов производства современной микроэлектроники. Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) создали прототип ионного источника, который подходит для сильноточных имплантеров – разновидность ускорителей, используемая в производстве современной микроэлектроники. Этот результат был озвучен на традиционной пресс-конференции, посвященной итогам года в Институте ядерной физики СО РАН.

«Сегодня мы все пользуемся портативными электронными устройствами, которые имеют такие размеры благодаря тому, что их работа основана на полупроводниках, а не на ламповой электронике. Создание полупроводниковых пластин занимает несколько месяцев, и требует нескольких сотен операций. Но самым важным и сложным оборудованием в этом процессе являются ионные имплантеры и литографы», — рассказал заместитель директора по научной работе ИЯФ СО РАН, член-корр. РАН Евгений Левичев.

Ведущими производителями такого оборудования являются западные компании, которые после начала СВО, ушли с российского рынка, а передовые образцы подобной техники не поставляли в нашу страну и ранее, лидерам отрасли не нужны новые конкуренты.

Сейчас перед экономикой стоит сложная задача – развитие производства собственной микроэлектроники до передового мирового уровня. Достижение этой цели, по оценкам экспертов, потребует решения множества сложнейших научно-технических задач. Ранее «Континент Сибирь» рассказывал, что ИЯФ СО РАН участвует в работе по созданию российских литографов.

Параллельно ученые занимались созданием ключевых компонентов для ионных имплантеров – устройств, с помощью которых кремниевая пластина насыщается различными примесями (бора, фтора, мышьяка), которые и придают ей нужные свойства полупроводника.

«Наши ученые использовали сотрудники создали ионный источник, который несколько отличается от современных западных аналогов по принципу работы и за счет этого превосходит их по ряду важных параметров», ─ подчеркнул Евгений Левичев.

В коллаборации с предприятиями Зеленограда (АО «НИИТМ» и АО «НИИМЭ»), специалисты ИЯФ СО РАН работают над двумя имплантерами, один будет более точным, другой – более высоковольтный. Первый будет передан партнерам до конца следующего года, второй – в 2026 году. И это, по словам Евгения Левичева, станет серьезным шагом к обеспечению технологического суверенитета России в области микроэлектроники.