Графеновые диоды открывают новый потенциал для инфракрасных технологий

Ученые разработали графеновые структуры с боросодержащей прослойкой, способные эффективно поглощать инфракрасное излучение. Эти инновации могут изменить подход к созданию инфракрасных сенсоров и камер, расширяя возможности оптоэлектронных устройств.

В ходе научных исследований использовались конструктивные решения с многослойными двумерными структурами. Эти конструкции включали два слоя графена, между которыми находилась прослойка из нитрида бора. Данные структуры, известные как двумерные резонансно-туннельные диоды, активно исследуются в контексте создания генераторов сигнала сверхвысоких частот и элементов электронной аппаратуры.

Учёные предполагают, что прослойка, содержащая бор, эффективно поглощает инфракрасное излучение. Это свойство позволило применять данные гетероструктуры для разработки сенсоров инфракрасных волн и камер.

В результате экспериментов была создана новая структура, открывающая перспективы для широкого спектра оптоэлектронных устройств, работающих в среднем инфракрасном диапазоне.