Samsung начинает первое в отрасли массовое производство V-NAND 9-го поколения для искусственного интеллекта

С первым в отрасли массовым производством QLC V-NAND 9-го поколения вслед за выпуском в апреле этого года первых в отрасли трехуровневых ячеек (TLC) V-NAND 9-го поколения Samsung укрепляет свое лидерство на рынке высокопроизводительных флэш-накопителей NAND большой емкости.

“Начало успешного массового производства QLC V-NAND 9-го поколения всего через четыре месяца после выпуска TLC-версии позволяет нам предлагать полную линейку передовых твердотельных накопителей, отвечающих потребностям эпохи искусственного интеллекта”, — сказал Сунгхой Хур, исполнительный вице-президент Samsung Electronics и руководитель отдела флэш-продуктов и технологий. “Поскольку рынок корпоративных твердотельных накопителей демонстрирует быстрый рост на фоне растущего спроса на приложения для искусственного интеллекта, мы продолжим укреплять наше лидерство в этом сегменте с помощью наших QLC и TLC V-NAND 9-го поколения”.

Samsung планирует расширить сферы применения QLC V-NAND 9-го поколения, начиная с фирменных потребительских продуктов и заканчивая мобильными универсальными флэш-накопителями (UFS), ПК и серверными твердотельными накопителями для клиентов, включая поставщиков облачных услуг.

Samsung QLC V-NAND 9-го поколения объединяет ряд инноваций, которые привели к технологическим прорывам:

Технология Samsung травления канальных отверстий была использована для достижения самого высокого в отрасли количества слоев при двойной структуре стека. Используя технологический опыт, накопленный в V-NAND 9-го поколения TLC, площадь ячеек и периферийных схем были оптимизированы, что позволило достичь лучшей в отрасли плотности битов, примерно на 86% превышающей плотность битов предыдущего поколения QLC V-NAND.

ТехнологияDesigned Mold регулирует расстояние между строками слов (WL), которые управляют ячейками, для обеспечения однородности и оптимизации характеристик ячеек по слоям и внутри них. Эти характеристики становятся все более важными по мере увеличения количества слоев V-NAND. Использование разработанной формы улучшило производительность хранения данных примерно на 20% по сравнению с предыдущими версиями, что привело к повышению надежности продукта

Технология прогностической программы предвидит изменения состояния ячейки и контролирует их, чтобы свести к минимуму ненужные действия. Samsung QLC V-NAND 9-го поколения удвоил производительность записи и улучшил скорость ввода / вывода данных на 60% благодаря усовершенствованиям этой технологии.
Энергопотребление при чтении и записи данных снизилось примерно на 30% и 50% соответственно, за счет использования конструкции с низким энергопотреблением Этот метод снижает напряжение, питающее ячейки NAND, и минимизирует энергопотребление за счет считывания только необходимых битовых линий (BL).

Сообщение Samsung начинает первое в отрасли массовое производство V-NAND 9-го поколения для искусственного интеллекта появились сначала на Время электроники.