Infineon переводит производство силовых полупроводников на 300-мм пластины

Каждый человек сталкивается с повседневной жизни с кремниевыми чипами, но о силовых полупроводниках знают намного меньше. Но они тоже встречаются повсеместно, будь то электромобили, различные источники питания, солнечные инверторы и многое другое. Силовые полупроводники изготавливают из карбида кремния (SiC) или нитрида галлия (GaN), поэтому компании-производители компонентов фокусируются на этих двух направлениях развития.

Существует параллель между кремниевым и SiC/GaN миром с точки зрения производства: чем больше пластина, из которой вырезают компоненты, тем эффективнее производство. Компания Infineon объявила о запуске пилотной линии на своем заводе Power Fab в Виллахе (Австрия), где используют пластины GaN диаметром 300 мм. Пластина диаметром 300 мм имеет площадь поверхности в 2,25 раза больше. Это означает, что за один технологический цикл можно обработать в 2,25 раза больше площади чипов, и даже доля выхода годных кристаллов будет выше.

При ...