Власти США потратят $825 млн на новый исследовательский центр полупроводников

Власти США инвестируют 825 миллионов долларов в новый исследовательский и опытно-конструкторский центр полупроводников в Олбани, штат Нью-Йорк. Этот центр будет нацелен на развитие технологии EUV-литографии, которая является ключевой для производства более мелких, более быстрых и более эффективных микросхем.

По данным Министерства торговли США и Natcast, оператора Национального центра технологии полупроводников (NSTC), эта инвестиция является “важным шагом в сохранении лидерства США в области инноваций в полупроводниковой отрасли”. Министр торговли Джина Раймондо подчеркнула, что этот центр представляет собой значительный этап для индустрии полупроводников в США, которая “стремится расширить границы закона Мура”.

NSTC сосредоточится на трех основных задачах: технологическое лидерство США, сокращение времени и затрат на разработку прототипов и развитие устойчивой экосистемы рабочей силы в области полупроводников.