Samsung завершила разработку 2-нанометрового техпроцесса GAA второго поколения

Южнокорейская компания Samsung официально объявила о завершении базовой разработки второго поколения 2-нм техпроцесса с использованием архитектуры GAA (Gate-All-Around). Этот шаг укрепляет позиции компании в гонке за лидерство в производстве самых передовых чипов и подчеркивает её амбиции в области полупроводников.

Новое поколение 2-нанометрового техпроцесса GAA, известное как SF2, обещает значительный прирост производительности и энергоэффективности по сравнению с предыдущими поколениями. Samsung утверждает, что новая технология позволит создавать более мощные и экономичные чипы, что особенно важно для некоторых отраслей, включая сферы искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений. Обещают улучшенную производительность на 12% и сниженное энергопотребление на 25%. Также на 8% уменьшены размеры чипов.

Архитектура GAA отличается тем, что транзисторы полностью окружены затвором для обеспечения лучшего контроля тока и уменьшения утечек энергии. Это ключевое преимущество по сравнению с классической FinFET-архитектурой, используемой в более старых техпроцессах.

Samsung планирует начать массовое производство по второму поколению 2-нм техпроцесса в 2027 году. Компания уже активно работает с ключевыми партнёрами, чтобы адаптировать новую технологию под их нужды. Ожидается, что среди первых заказчиков будут производители процессоров для серверов, мобильных устройств и решений для искусственного интеллекта.

Этот анонс подтверждает стремление Samsung конкурировать с такими гигантами, как TSMC и Intel, которые также разрабатывают собственные передовые техпроцессы. В ближайшие годы нас ждёт ожесточённая борьба за лидерство на рынке полупроводников, и успех Samsung с его 2-нм техпроцессом может сыграть важную роль в этом противостоянии.