Китай стремится к полупроводниковой независимости: в стране тестируют новый литограф

По информации издания TechPowerUp, Китай сделал большой шаг в направлении создания технологии экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии. Она до сих пор считается прерогативой ASML.

Сейчас на заводе HUAWEI в городе Дунгуан проходит тестирование литографического комплекса, который в работе задействует плазму, индуцированную лазерным разрядом (LDP). В отличие от оборудования компании ASML с лазерно-индуцированной плазмой (LPP), в китайской разработке генерация излучения с длиной волны 13,5 нм происходит вследствие процесса испарения олова между электродами и последующего его преобразования в плазму, для чего используются высоковольтные разряды.

Как сообщают разработчики, подобный подход даёт сразу несколько преимуществ: более простую архитектуру, уменьшенные габариты, повышенный показатель энергоэффективности и снижение производственных затрат на выпуск литографического оборудования.

Пробное производство планируется запустить в конце 2025 года, а массовое — в 2026-м. Стоит отметить, что ранее Соединённые Штаты ограничили поставки EUV-оборудования на территорию Китая, чтобы замедлить развитие полупроводниковой отрасли в стране. Поэтому производителям из Поднебесной пришлось использовать оборудование с длинами волн 284 нм и 193 нм. Появление собственной установки, способной генерировать излучение с длиной волны 13,5 нм, можно будет назвать настоящим прорывом.

Правда, эксперты отрасли задаются некоторыми вопросами, например, сможет ли новая литографическая установка обеспечить стабильность, надёжность и совместимость с существующими технологическими процессами. К тому же, потребуется немало времени и финансовых вложений, чтобы обеспечить заинтересованные компании достаточным количеством машин.