В российское производство транзисторов на основе нитрида галлия вложат свыше 4 млрд рублей

Группа компаний «Элемент», один из крупнейших в нашей стране производителей микроэлектроники, намерена вложить 4,4 миллиарда рублей в производство силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Использование данного материала позволяет выпускать устройства, отличающиеся более высокими частотами, повышенной энергоэффективностью, а также большей плотностью мощности. Кроме того, транзисторы на основе нитрида галлия способны работать при более высоких температурах, чем их классические аналоги.

Нарастить объёмы производства «Элемент» намерен на одном из своих предприятий в Воронеже — НИИЭТ. Представители последнего заявили, что выбор в их сторону был неслучайным — у компании имеются все заделы для серийного производства силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Утверждается, что плановая производственная мощность составит 5,5 тысяч пластин толщиной 200-мм ежегодно.

Силовые транзисторы используются в самых разных устройствах, включая преобразователи напряжения, логические элементы, оборудование, рассчитанное на питание током высокого напряжения, схемы управления и так далее.